Транзистор IRFSL11N50APBF
IRFSL11N50APBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 190 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.55 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 51 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 34 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 208 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFSL11N50APBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHFSL11N50A |
PTH |
N |
190 |
500 |
30 |
4 |
11 |
0.55 |
51 |
34 |
208 |
175 |
TO-262 |