Транзистор IRFSL59N10D
IRFSL59N10D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 59 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 76 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFSL59N10D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB59N10DPBF |
PTH |
N |
200 |
100 |
30 |
5.5 |
59 |
0.025 |
76 |
90 |
740 |
175 |
TO-220AB |
| IRFS59N10D |
SMD |
N |
200 |
100 |
30 |
5.5 |
59 |
0.025 |
76 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| IRFS59N10DPBF |
SMD |
N |
200 |
100 |
30 |
5.5 |
59 |
0.025 |
76 |
90 |
740 |
175 |
TO-263 |