Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFY9130M

IRFY9130M - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-257AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 140 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IRFY9130M можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CEB20P10	SMD	P	115	100	20	-	20	0.13	30	16	210	175	TO-263
CED20P10	PTH	P	75	100	20	-	16	0.13	30	16	210	175	TO-251
CEP20P10	PTH	P	115	100	20	-	20	0.13	30	16	210	175	TO-220
CEU20P10	SMD	P	75	100	20	-	16	0.13	30	16	210	175	TO-252
FQB15P12TM	SMD	P	100	120	30	4	15	0.2	29	100	310	175	D2PAK
FQI15P12TU	PTH	P	100	120	30	4	15	0.2	29	100	310	175	I2PAK
IRFY9130CM	PTH	P	75	100	20	4	11.2	0.3	30	140	350	150	TO-257AA
IRFY9140CM	PTH	P	100	100	20	4	15.8	0.2	30	85	600	150	TO-257AA
IRFY9140X	PTH	P	100	100	-	-	15.8	0.2	30	85	-	-	TO-257AB
SEFY9130C	PTH	P	75	100	20	4	11.2	0.3	30	140	350	150	TO-257