Транзистор IRHLNA77064

IRHLNA77064 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SMD2

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 56 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 151 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 170 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2343 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRHLNA77064 можно заменить на:

Нет элементов для замены