Транзистор IRHLNJ77034
IRHLNJ77034 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD0.5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 57 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 110 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 488 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHLNJ77034 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN6018S |
PTH |
N |
95 |
60 |
20 |
2 |
40 |
0.017 |
30 |
12 |
150 |
150 |
TO-220 |
| PH1875L |
SMD |
N |
62.5 |
75 |
15 |
2 |
45.8 |
0.0165 |
33.4 |
80 |
285 |
150 |
LFPAK |