Транзистор IRHLNM77110

IRHLNM77110 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SMD0.2

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 23.2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 75 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 124 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRHLNM77110 можно заменить на:

Нет элементов для замены