Транзистор IRHN57250SE
IRHN57250SE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD1
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 31 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 125 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 628 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHN57250SE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPW60R041P6 |
PTH |
N |
481 |
600 |
20 |
4.5 |
77.5 |
0.041 |
170 |
27 |
310 |
150 |
TO-247 |
| IPW65R041CFD |
PTH |
N |
500 |
650 |
20 |
4.5 |
68.5 |
0.041 |
300 |
28 |
400 |
150 |
TO-247 |
| TK49N65W5 |
PTH |
N |
400 |
650 |
30 |
4.5 |
49.2 |
0.057 |
185 |
100 |
140 |
150 |
TO-247 |