Транзистор IRHN7C50SE
IRHN7C50SE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD1
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 190 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHN7C50SE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOK18N65 |
PTH |
N |
417 |
650 |
30 |
4.5 |
18 |
0.39 |
56 |
83 |
271 |
150 |
TO-247 |
| AOK18N65L |
PTH |
N |
417 |
650 |
30 |
4.5 |
18 |
0.39 |
- |
83 |
271 |
150 |
TO-247 |
| AOK20N60L |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
4.5 |
20 |
0.37 |
- |
125 |
273 |
150 |
TO-247 |
| AOT12N60 |
PTH |
N |
278 |
600 |
30 |
4.5 |
12 |
0.55 |
40.5 |
70 |
164 |
150 |
TO-220 |
| AOT20N60 |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
4.5 |
20 |
0.37 |
61 |
125 |
273 |
150 |
TO-220 |
| AOT20N60L |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
4.5 |
20 |
0.37 |
74 |
125 |
273 |
150 |
TO-220 |
| AOW12N60 |
PTH |
N |
278 |
600 |
30 |
4.5 |
12 |
0.55 |
40 |
70 |
164 |
150 |
TO-262 |
| HFP13N60U |
PTH |
N |
230 |
600 |
30 |
4.5 |
14 |
0.41 |
60 |
90 |
250 |
150 |
TO-220 |
| HFP13N65U |
PTH |
N |
230 |
650 |
30 |
4.5 |
14 |
0.5 |
60 |
90 |
250 |
150 |
TO-220 |
| STP16NK65Z |
PTH |
N |
190 |
650 |
30 |
4.5 |
13 |
0.5 |
89 |
25 |
275 |
150 |
TO-220 |
| TK25E60X5 |
PTH |
N |
180 |
600 |
30 |
4.5 |
25 |
0.14 |
60 |
40 |
60 |
150 |
TO-220 |
| TK25N60X5 |
PTH |
N |
180 |
600 |
30 |
4.5 |
25 |
0.14 |
60 |
40 |
60 |
150 |
TO-247 |
| TK28N65W5 |
PTH |
N |
230 |
650 |
30 |
4.5 |
27.6 |
0.13 |
90 |
50 |
70 |
150 |
TO-247 |