Справочник электронных компонентов

Транзистор IRHN9130

IRHN9130 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-276AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRHN9130 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF6215LPBF	PTH	P	110	150	20	4	13	0.29	66	36	220	175	TO-262
IRF6215PBF	PTH	P	110	150	20	4	13	0.29	66	36	220	175	TO-220AB
IRF6215SPBF	SMD	P	110	150	20	4	13	0.29	66	36	220	175	TO-263
IRFR6215PBF	SMD	P	110	150	20	4	13	0.295	66	36	220	175	TO-252
IRFU6215PBF	PTH	P	110	150	20	4	13	0.295	66	36	220	175	TO-251
IRH9130	PTH	P	75	100	20	4	11	0.3	-	50	300	150	TO-3
IRHM9130	PTH	P	75	100	20	4	11	0.3	-	50	300	150	TO-254AA
KRFR6215	SMD	P	110	150	20	4	13	0.295	66	36	220	175	TO-252
SFI9540	SMD	P	132	100	20	4	17	0.2	-	22	240	175	D2PAK
SUM25P10-138	SMD	P	88.2	100	20	4	16.7	0.138	40	12	105	175	TO-263