Транзистор IRHN9230
IRHN9230 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-276AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 310 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHN9230 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFY9230 |
PTH |
P |
75 |
200 |
20 |
4 |
6.5 |
0.8 |
31 |
100 |
200 |
150 |
TO-257AA |
| IRH9230 |
PTH |
P |
75 |
200 |
20 |
4 |
6.5 |
0.8 |
- |
90 |
250 |
150 |
TO-3 |
| IRHM9230 |
PTH |
P |
75 |
200 |
20 |
4 |
6.5 |
0.8 |
- |
90 |
310 |
150 |
TO-254AA |
| IRHNJ9230 |
SMD |
P |
75 |
200 |
20 |
4 |
6.5 |
0.8 |
45 |
50 |
190 |
150 |
SMD0.5 |
| SFW9640TM |
SMD |
P |
123 |
200 |
30 |
4 |
11 |
0.5 |
- |
23 |
207 |
150 |
D2PAK |