Транзистор IRHNA597160

IRHNA597160 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SMD2

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 47 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 170 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1570 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRHNA597160 можно заменить на:

Нет элементов для замены