Транзистор IRHNA67164
IRHNA67164 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 56 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 230 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 170 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1144 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHNA67164 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDI2532 |
PTH |
N |
310 |
150 |
20 |
4 |
79 |
0.016 |
107 |
30 |
615 |
175 |
TO-262AB |
| KDB2532 |
SMD |
N |
310 |
150 |
20 |
4 |
79 |
0.016 |
82 |
30 |
615 |
175 |
TO-263 |
| RU120N15Q |
PTH |
N |
326 |
150 |
25 |
4 |
120 |
0.017 |
155 |
40 |
900 |
175 |
TO-247 |
| RU120N15R |
PTH |
N |
312 |
150 |
25 |
4 |
120 |
0.017 |
155 |
40 |
900 |
175 |
TO-220 |
| SM1F01NF |
PTH |
N |
300 |
150 |
30 |
4 |
80 |
0.016 |
110 |
18 |
600 |
175 |
TO-220 |