Транзистор IRHNA7264SE
IRHNA7264SE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 220 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 180 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHNA7264SE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPW60R041P6 |
PTH |
N |
481 |
600 |
20 |
4.5 |
77.5 |
0.041 |
170 |
27 |
310 |
150 |
TO-247 |
| IRHNB7264SE |
SMD |
N |
300 |
250 |
20 |
4.5 |
34 |
0.11 |
220 |
180 |
1300 |
150 |
SMD3 |
| STW54NK30Z |
PTH |
N |
300 |
300 |
30 |
4.5 |
54 |
0.06 |
158 |
45 |
745 |
150 |
TO-247 |