Транзистор IRHNJ57234SE

IRHNJ57234SE - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SMD0.5

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.4 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 157 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRHNJ57234SE можно заменить на:

Нет элементов для замены