Транзистор IRL530NS
IRL530NS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 79 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 22.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRL530NS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS3410B3 |
PTH |
N |
80 |
100 |
20 |
2 |
17 |
0.1 |
20 |
55 |
160 |
175 |
TO-251 |
| IRL530NL |
PTH |
N |
79 |
100 |
20 |
2 |
17 |
0.1 |
22.7 |
- |
- |
150 |
TO-262 |
| NVD6495NL |
SMD |
N |
83 |
100 |
20 |
2 |
25 |
0.05 |
20 |
91 |
156 |
175 |
DPAK |