Справочник электронных компонентов

Транзистор IRL640S

IRL640S - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 66 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRL640S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQA19N20L	PTH	N	190	200	20	2	25	0.14	27	300	220	150	TO-3P
FQA34N20L	PTH	N	210	200	20	2	34	0.075	55	520	400	150	TO-3P
FQB19N20LTM	SMD	N	140	200	20	2	21	0.14	27	300	220	150	D2PAK
FQB34N20LTM	SMD	N	180	200	20	2	31	0.075	55	520	400	150	D2PAK
FQP19N20L	PTH	N	140	200	20	2	21	0.14	27	300	220	150	TO-220
FQP34N20L	PTH	N	180	200	20	2	31	0.075	55	520	400	150	TO-220
IRL640	PTH	N	125	200	10	2	17	0.18	66	-	-	150	TO-220AB
SIHL640	PTH	N	125	200	10	2	17	0.18	66	83	400	150	TO-220AB