Транзистор IRL640SPBF
IRL640SPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 83 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRL640SPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRL640PBF |
PTH |
N |
125 |
200 |
10 |
2 |
17 |
0.18 |
- |
83 |
400 |
150 |
TO-220AB |
| SIHL640 |
PTH |
N |
125 |
200 |
10 |
2 |
17 |
0.18 |
66 |
83 |
400 |
150 |
TO-220AB |