Транзистор IRLH5030
IRLH5030 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 44 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRLH5030 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDPF085N10A |
PTH |
N |
33.3 |
100 |
20 |
4 |
40 |
0.0085 |
31 |
- |
- |
175 |
TO-220F |
| IRFH7184 |
SMD |
N |
3.9 |
100 |
20 |
3.6 |
20 |
0.0048 |
36 |
9.9 |
1070 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH7185 |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
3.6 |
19 |
0.0052 |
36 |
9.9 |
1070 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH7188 |
SMD |
N |
3.8 |
100 |
20 |
3.6 |
18 |
0.006 |
33 |
4.5 |
1074 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH7190 |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
3.6 |
15 |
0.0075 |
26 |
6.1 |
836 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH7191 |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
3.6 |
15 |
0.008 |
26 |
6.1 |
836 |
150 |
PQFN5X6 |
| SIR846ADP |
SMD |
N |
5.4 |
100 |
20 |
3 |
18.6 |
0.0078 |
44 |
10 |
650 |
150 |
SO-8 |
| SIR882ADP |
SMD |
N |
5.4 |
100 |
20 |
2.8 |
17.6 |
0.0087 |
39.5 |
12 |
748 |
150 |
SO-8 |
| SIR882DP |
SMD |
N |
5.4 |
100 |
20 |
2.8 |
17.6 |
0.0087 |
38.5 |
12 |
1210 |
150 |
SO-8 |