Справочник электронных компонентов

Транзистор IRLML6402GPBF

IRLML6402GPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.065 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 48 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 145 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRLML6402GPBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRLML6402PBF	SMD	P	1.3	20	12	1.2	3.7	0.065	-	48	145	150	SOT-23
IRLML6402PBF-1	SMD	P	1.3	20	12	1.2	3.7	0.065	-	48	145	150	SOT-23
QM2401G	SMD	P	1.5	20	12	1.2	4.2	0.06	10	47.4	114	150	SOT-223
QM2401J	SMD	P	1.5	20	12	1.2	4.2	0.06	10	47.4	114	150	SOT-89
SM2327PSA	SMD	P	1.31	30	12	1.2	4	0.056	18.5	12	75	150	SOT-23
SMC3401	SMD	P	1.4	30	12	1.2	4.3	0.052	14	12.5	76	150	SOT-23L
SMC3535	SMD	P	2.5	30	12	1.2	5.8	0.052	13.5	12.8	75	150	SOT-89
SSF2439E	SMD	P	2.2	20	12	1.2	4.5	0.055	-	16	130	150	SOT-23-6