Транзистор ISL9N303AS3ST
ISL9N303AS3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 215 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 172 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1350 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор ISL9N303AS3ST можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| ISL9N303AP3 |
PTH |
N |
215 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.0032 |
172 |
80 |
1350 |
175 |
TO-220AB |