Справочник электронных компонентов

Транзистор IXBH9N160

IXBH9N160 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.78 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXBH9N160 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXBH15N160	PTH	N	150	1600	-	-	15	0.47	-	-	-	150	TO-247
IXBH20N160	PTH	N	200	1600	-	-	20	0.33	-	-	-	150	TO-247
IXBH40N160	PTH	N	350	1600	-	-	40	0.24	-	-	-	150	TO-247
IXBJ40N160	PTH	N	350	1600	-	-	33	0.24	-	-	-	150	TO-268Leaded