Транзистор IXFB100N50P

IXFB100N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: PLUS264

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1250 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 240 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXFB100N50P можно заменить на:

Нет элементов для замены