Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFC52N30P

IXFC52N30P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 110 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFC52N30P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT30M61BFLLG	PTH	N	403	300	30	5	54	0.061	64	20	920	150	TO-247
APT30M61SFLLG	SMD	N	403	300	30	5	54	0.061	64	20	920	150	D3PAK
IRFB4137PBF	PTH	N	341	300	20	5	38	0.069	83	23	300	175	TO-220Pak
IXFH52N30P	PTH	N	400	300	20	5	52	0.066	110	200	-	150	TO-247
IXFV52N30P	PTH	N	400	300	20	5	52	0.066	110	200	-	150	PLUS220
IXFV52N30PS	SMD	N	400	300	20	5	52	0.066	110	200	-	150	PLUS220SMD