Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFC60N20

IXFC60N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 139 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.033 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 155 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFC60N20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH60N20	PTH	N	298	200	20	4	60	0.033	155	250	-	150	TO-247
IXFH88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.03	146	200	-	150	TO-247
IXFK88N20Q	PTH	N	481	200	30	4	88	0.028	149	200	-	150	TO-264
IXFX88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.028	146	200	-	150	PLUS247
SUM65N20-30	SMD	N	375	200	20	4	65	0.03	90	220	480	175	TO-263