Транзистор IXFE80N50
IXFE80N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOPLUS227
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 560 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 72 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.055 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 380 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFE80N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH80N65X2 |
PTH |
N |
890 |
650 |
30 |
4.5 |
80 |
0.04 |
144 |
25 |
5208 |
150 |
TO-247 |