Транзистор IXFH26N50Q

IXFH26N50Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-247

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 26 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 95 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXFH26N50Q можно заменить на:

Нет элементов для замены