Транзистор IXFH40N50Q2
IXFH40N50Q2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 560 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 110 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFH40N50Q2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH42N50P2 |
PTH |
N |
830 |
500 |
30 |
4.5 |
42 |
0.145 |
92 |
250 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFT42N50P2 |
SMD |
N |
830 |
500 |
30 |
4.5 |
42 |
0.145 |
92 |
250 |
- |
150 |
TO-268 |