Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFH8N80

IXFH8N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXFH8N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FMH11N90E PTH N 285 900 30 4.5 11 1 60 32 200 150 TO-3PQ
HFH13N80 PTH N 300 800 30 4.5 12.6 0.95 68 175 270 150 TO-3P
IXFH9N80 PTH N 180 800 20 4.5 9 0.9 85 - - 150 TO-247
SM8A01NSW PTH N 208 800 30 4.5 13 0.38 55 45 745 150 TO-247
SM8A02NSF PTH N 277 800 30 4.5 17 0.31 60 44 865 150 TO-220
SM8A02NSW PTH N 277 800 30 4.5 17 0.31 60 44 865 150 TO-247
SM9A01NSF PTH N 192 900 30 4.5 12 0.48 56 29 950 150 TO-220