Транзистор IXFH9N80Q
IXFH9N80Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 179 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 56 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFH9N80Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA10N80 |
PTH |
N |
240 |
800 |
30 |
5 |
9.8 |
1.05 |
55 |
115 |
215 |
150 |
TO-3P |
| FQA10N80C |
PTH |
N |
240 |
800 |
30 |
5 |
10 |
1.1 |
45 |
130 |
180 |
150 |
TO-3P |
| STB21N90K5 |
SMD |
N |
250 |
900 |
30 |
5 |
18.5 |
0.299 |
43 |
27 |
112 |
150 |
D2PAK |