Транзистор IXFI7N80P
IXFI7N80P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.44 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 32 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 133 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFI7N80P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB20N95K5 |
SMD |
N |
250 |
950 |
30 |
5 |
17.5 |
0.33 |
40 |
12 |
80 |
150 |
D2PAK |
| STB21N90K5 |
SMD |
N |
250 |
900 |
30 |
5 |
18.5 |
0.299 |
43 |
27 |
112 |
150 |
D2PAK |
| STWA12N120K5 |
PTH |
N |
250 |
1200 |
30 |
5 |
12 |
0.69 |
44.2 |
11 |
110 |
150 |
TO-247 |
| STWA20N95K5 |
PTH |
N |
250 |
950 |
30 |
5 |
17.5 |
0.33 |
40 |
12 |
80 |
150 |
TO-247 |