Транзистор IXFK150N10
IXFK150N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-264
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 150 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 360 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFK150N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFE180N10 |
Модуль |
N |
500 |
100 |
20 |
4 |
176 |
0.008 |
360 |
250 |
- |
150 |
ISOPLUS227 |
| IXFE180N20 |
Модуль |
N |
500 |
200 |
20 |
4 |
158 |
0.012 |
360 |
250 |
- |
150 |
ISOPLUS227 |
| IXTK180N15 |
PTH |
N |
800 |
150 |
20 |
4 |
180 |
0.011 |
220 |
120 |
- |
150 |
TO-264 |