Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFK27N80

IXFK27N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-264

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 27 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.32 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 350 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFK27N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFK38N80Q2	PTH	N	735	800	30	4.5	38	0.22	190	250	-	150	TO-264
IXFN27N80	Модуль	N	520	800	20	4.5	27	0.3	350	-	-	150	MINIBLOC
IXFN27N80Q	Модуль	N	521	800	20	4.5	27	0.32	170	250	-	150	MINIBLOC
IXFN38N80Q2	Модуль	N	735	800	30	4.5	38	0.22	190	250	-	150	MINIBLOC
IXFR27N80Q	PTH	N	500	800	20	4.5	27	0.3	170	28	750	150	ISOPLUS247
IXFR38N80Q2	PTH	N	500	800	30	4.5	28	0.24	190	250	-	150	ISOPLUS247
IXFX38N80Q2	PTH	N	735	800	30	4.5	38	0.22	190	250	-	150	PLUS247