Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFK55N50F

IXFK55N50F - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-264

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 560 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.085 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFK55N50F можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFB150N65X2	PTH	N	1560	650	30	5.5	150	0.017	430	35	13300	150	PLUS264
IXFB80N50Q2	PTH	N	960	500	30	5.5	80	0.06	250	250	-	150	PLUS264
IXFH60N65X2	PTH	N	780	650	30	5.5	60	0.052	107	40	3867	150	TO-247
IXFH80N65X2	PTH	N	890	650	30	5.5	80	0.04	143	42	5510	150	TO-247
IXFK64N50P	PTH	N	830	500	30	5.5	64	0.085	150	200	-	150	TO-264
IXFX55N50F	PTH	N	560	500	20	5.5	55	0.085	195	250	-	150	PLUS247
IXFX64N50P	PTH	N	830	500	30	5.5	64	0.085	150	200	-	150	PLUS247