Транзистор IXFK80N50P
IXFK80N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-264
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1040 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.065 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 197 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFK80N50P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFX80N50P |
PTH |
N |
1040 |
500 |
30 |
5 |
80 |
0.065 |
197 |
200 |
- |
150 |
PLUS247 |
| IXTK102N65X2 |
PTH |
N |
1040 |
650 |
30 |
5 |
102 |
0.03 |
152 |
28 |
6100 |
150 |
TO-264P |
| IXTX102N65X2 |
PTH |
N |
1040 |
650 |
30 |
5 |
102 |
0.03 |
152 |
28 |
6100 |
150 |
PLUS247 |