Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор IXFL40N110P полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFL40N110P

IXFL40N110P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS264

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 357 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.28 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 310 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXFL40N110P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFB40N110P	PTH	N	1250	1100	30	6.5	40	0.26	310	300	-	150	PLUS264
IXFB40N110Q3	PTH	N	1560	1100	30	6.5	40	0.26	300	68	984	150	PLUS264
IXFN40N110P	Модуль	N	890	1100	30	6.5	34	0.26	310	300	-	150	MINIBLOC
IXFN40N110Q3	Модуль	N	960	1100	30	6.5	35	0.26	300	68	984	150	MINIBLOC