Транзистор IXFM11N80
IXFM11N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-204
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.95 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 128 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFM11N80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH11N80 |
PTH |
N |
300 |
800 |
20 |
4.5 |
11 |
0.95 |
128 |
- |
4200 |
150 |
TO-247 |
| IXFH13N80 |
PTH |
N |
300 |
800 |
20 |
4.5 |
13 |
0.8 |
128 |
- |
4200 |
150 |
TO-247 |
| IXFM13N80 |
PTH |
N |
300 |
800 |
20 |
- |
13 |
0.8 |
128 |
- |
4200 |
150 |
TO-204 |