Транзистор IXFN100N10S3
IXFN100N10S3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: MINIBLOC
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFN100N10S3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFN100N10S1 |
Модуль |
N |
360 |
100 |
20 |
4 |
100 |
0.012 |
- |
30 |
- |
150 |
MINIBLOC |
| IXFN100N10S2 |
Модуль |
N |
360 |
100 |
20 |
4 |
100 |
0.012 |
- |
30 |
- |
150 |
MINIBLOC |
| TK160F10N1 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
4 |
160 |
0.0024 |
121 |
22 |
3960 |
175 |
TO-220SM |