Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFN100N20

IXFN100N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: MINIBLOC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 521 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.023 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 380 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN100N20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT20M18B2VFRG	PTH	N	625	200	30	4	100	0.018	330	27	2320	150	TMAX
APT20M18B2VRG	PTH	N	625	200	30	4	100	0.018	330	27	2320	150	TMAX
APT20M18LVFRG	PTH	N	625	200	30	4	100	0.018	330	27	2320	150	TO-264
APT20M18LVRG	PTH	N	625	200	30	4	100	0.018	330	27	2320	150	TO-264
SML20L100F	PTH	N	520	200	30	4	100	0.022	290	25	1950	150	TO-264AA
STY105NM50N	PTH	N	625	500	25	4	110	0.022	326	88	500	150	Max247