Транзистор IXFN100N50Q3
IXFN100N50Q3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 960 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 82 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 255 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFN100N50Q3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFB100N50Q3 |
PTH |
N |
1560 |
500 |
30 |
6.5 |
100 |
0.049 |
255 |
250 |
- |
150 |
PLUS264 |