Транзистор IXFN170N10
IXFN170N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: MINIBLOC
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 600 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 170 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 515 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXFN170N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH320N10T2 |
PTH |
N |
1000 |
100 |
20 |
4 |
320 |
0.0035 |
430 |
98 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXFT320N10T2 |
SMD |
N |
1000 |
100 |
20 |
4 |
320 |
0.0035 |
430 |
98 |
- |
175 |
TO-268 |
| RU1H300Q |
PTH |
N |
600 |
100 |
25 |
4 |
300 |
0.004 |
430 |
225 |
1450 |
175 |
TO-247 |