Транзистор IXFN200N10P
IXFN200N10P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: MINIBLOC
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 680 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 200 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 235 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXFN200N10P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFK200N10P |
PTH |
N |
830 |
100 |
20 |
5 |
200 |
0.0075 |
235 |
150 |
- |
175 |
TO-264 |
| IXFX200N10P |
PTH |
N |
830 |
100 |
20 |
5 |
200 |
0.0075 |
235 |
150 |
- |
175 |
PLUS247 |