Транзистор IXFN32N120P

IXFN32N120P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
• Корпус: MINIBLOC

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1000 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 32 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.31 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 360 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN32N120P можно заменить на:

Нет элементов для замены