Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFN34N80

IXFN34N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: MINIBLOC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 600 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.24 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 270 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN34N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT38F80B2	PTH	N	1040	800	30	5	41	0.24	260	65	805	150	TMAX
APT38F80L	PTH	N	1040	800	30	5	41	0.24	260	65	805	150	TO-264
APT41M80B2	PTH	N	1040	800	30	5	43	0.21	260	65	805	150	TMAX
APT41M80L	PTH	N	1040	800	30	5	43	0.21	260	65	805	150	TO-264
IXFB60N80P	PTH	N	1250	800	30	5	60	0.14	250	250	-	150	PLUS264
IXFK44N80P	PTH	N	1200	800	30	5	44	0.19	198	250	-	150	TO-264
IXFL60N80P	PTH	N	625	800	30	5	40	0.15	250	250	-	150	ISOPLUS264
IXFN44N80P	Модуль	N	1200	800	30	5	36	0.19	200	250	-	150	MINIBLOC
IXFN60N80P	Модуль	N	1040	800	30	5	53	0.14	250	250	-	150	MINIBLOC
IXFX44N80P	PTH	N	1200	800	30	5	44	0.19	198	250	-	150	PLUS247