Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFN48N50

IXFN48N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: MINIBLOC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 48 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 270 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN48N50 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FA57SA50LC	Модуль	N	625	500	20	4	57	0.08	225	-	10000	150	ISOTOP
FCA76N60N	PTH	N	543	600	30	4	76	0.036	218	-	-	150	TO-3PN
FCH76N60N	PTH	N	543	600	30	4	76	0.036	218	-	-	150	TO-247,TO-3P,TO-3PF
IXFN48N50U3	Модуль	N	520	500	20	4	48	0.1	270	-	-	150	MINIBLOC
SIHG64N65E	PTH	N	520	650	30	4	64	0.047	239	122	366	150	TO-247AC
SIHG73N60E	PTH	N	520	600	30	4	73	0.039	241	105	320	150	TO-247AC
SIHW73N60E	PTH	N	520	600	30	4	73	0.039	241	105	320	150	TO-247AD
SMOS48N50	Модуль	N	520	500	20	4	48	0.1	270	60	900	150	ISOTOP
VS-FA72SA50LC	Модуль	N	1136	500	20	4	72	0.08	225	44	1500	150	ISOTOP