Транзистор IXFN56N90P

IXFN56N90P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
• Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1000 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 900 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 56 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.145 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 375 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN56N90P можно заменить на:

Нет элементов для замены