Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFN60N60

IXFN60N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: MINIBLOC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 700 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 380 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN60N60 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH60N60X	PTH	N	890	600	30	4.5	60	0.055	143	23	4130	150	TO-247
IXFK90N60X	PTH	N	1100	600	30	4.5	90	0.038	210	22	6300	150	TO-264P
IXFQ60N60X	PTH	N	890	600	30	4.5	60	0.055	143	23	4130	150	TO-3P
IXFX90N60X	PTH	N	1100	600	30	4.5	90	0.038	210	22	6300	150	PLUS247
IXTH62N65X2	PTH	N	780	650	30	4.5	62	0.052	104	18	3730	150	TO-247
IXTH80N65X2	PTH	N	890	650	30	4.5	80	0.04	144	25	5208	150	TO-247
IXTK120N65X2	PTH	N	1250	650	30	4.5	120	0.024	240	18	9920	150	TO-264P
IXTX120N65X2	PTH	N	1250	650	30	4.5	120	0.024	240	18	9920	150	PLUS247