Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: MINIBLOC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 890 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.088 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 265 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN70N60Q2 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFB110N60P3	PTH	N	1890	600	30	5	110	0.056	245	250	-	150	PLUS264
IXFB82N60P	PTH	N	1250	600	30	5	82	0.075	240	200	-	150	PLUS264
IXFK80N60P3	PTH	N	1300	600	30	5	80	0.07	190	250	-	150	TO-264
IXFN110N60P3	Модуль	N	1500	600	30	5	90	0.056	254	250	-	150	ISOTOP
IXFN82N60P	Модуль	N	1040	600	30	5	82	0.075	240	200	-	150	MINIBLOC
IXFX80N60P3	PTH	N	1300	600	30	5	80	0.07	190	250	-	150	PLUS247
IXTK102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	TO-264P
IXTX102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	PLUS247