Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFN80N50

IXFN80N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: MINIBLOC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 780 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.048 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 380 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN80N50 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFK90N60X	PTH	N	1100	600	30	4.5	90	0.038	210	22	6300	150	TO-264P
IXFX90N60X	PTH	N	1100	600	30	4.5	90	0.038	210	22	6300	150	PLUS247
IXTH80N65X2	PTH	N	890	650	30	4.5	80	0.04	144	25	5208	150	TO-247
IXTK120N65X2	PTH	N	1250	650	30	4.5	120	0.024	240	18	9920	150	TO-264P
IXTX120N65X2	PTH	N	1250	650	30	4.5	120	0.024	240	18	9920	150	PLUS247