Транзистор IXFP4N100PM
IXFP4N100PM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 57 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IXFP4N100PM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| C2M1000170D |
PTH |
N |
69 |
1700 |
25 |
2.4 |
4.9 |
1.1 |
13 |
46 |
12 |
150 |
TO-247-3 |
| IXFA4N100P |
SMD |
N |
150 |
1000 |
20 |
5 |
4 |
3.3 |
26 |
300 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXFP4N100P |
PTH |
N |
150 |
1000 |
20 |
5 |
4 |
3.3 |
26 |
300 |
- |
150 |
TO-220 |