Транзистор IXFQ10N80P
IXFQ10N80P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 40 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFQ10N80P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFA10N80P |
SMD |
N |
300 |
800 |
30 |
5.5 |
10 |
1.1 |
40 |
250 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXFH10N80P |
PTH |
N |
300 |
800 |
30 |
5.5 |
10 |
1.1 |
40 |
250 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFP10N80P |
PTH |
N |
300 |
800 |
30 |
5.5 |
10 |
1.1 |
40 |
250 |
- |
150 |
TO-220 |